RF-PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究

作者：杜平凡; 席珍强; 汪新颜; 金达莱; 王勇

来源：功能材料, 2008, (03): 417-419.

• 氮化硅薄膜
• 钢衬底
• RF-PECVD
• 沉积速率 silicon nitride film
• steel substrate
• deposition rate

采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在钢衬底上沉积氮化硅薄膜。用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等手段对薄膜的厚度、成分、结构及形貌进行表征,并探讨了各工艺参数对薄膜沉积速率的影响。

• 单位
  浙江理工大学