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摘要
碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异的性能，在高温、高频和大功率器件领域具有广阔的应用前景.SiC肖特基二极管是最早商用化的SiC器件，然而，由于决定金属接触性能的肖特基势垒无法得到有效控制，高性能的SiC欧姆接触和肖特基接触制备仍然是SiC肖特基二极管研制中的关键技术难题.基于此，首先对金属/半导体肖特基接触势垒理论和载流子运输机制做了系统分析，根据金属/SiC接触实验中呈现的非理想电学特性，引出SiC肖特基二极管势垒不均匀分布问题；然后对分析势垒不均匀分布的平行传导模型、高斯分布模型、Tung模型、双势垒模型等进行讨论，用各模型分析金属半导体接触呈现的非理想电学特性.接着针对各模型分别综述了SiC肖特基二极管势垒不均匀分布研究的重要进展，探究势垒不均匀分布的形成原因及影响因素；最后，对金属/SiC接触势垒不均匀分布未来的研究方向进行了展望，要进一步提高SiC肖特基二极管的性能及稳定性，金属/SiC接触界面势垒不均匀分布形成机理、电流输运特性及其相互关系还有待进一步深入.
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单位自动化学院; 江苏师范大学
