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摘要
为了改善NbOxMott忆阻器电学稳定性和一致性，提升NbOx Mott忆阻器构建人工脉冲神经元的应用潜力，研究制备了通孔型NbOx Mott忆阻器，并对比研究了Pt、W电极材料对器件稳定性和一致性的影响。研究结果表明，相较于常见报道的Pt电极器件，采用W电极的NbOx Mott忆阻器表现出了更为优越的稳定性和一致性。此外，利用NbOx Mott忆阻器搭建了振荡电路，成功实现了人工脉冲神经元的功能。基于W电极NbOxMott忆阻器的人工脉冲神经元可以稳定振荡时间超过106 s,循环耐久性可达1012次以上，其振荡波形的幅度及频率稳定性远好于基于Pt电极的人工脉冲神经元。进一步的XPS结果显示，在基于W电极的NbOxMott忆阻器中，W和NbOx界面生成了一层致密的WOx层，有效地阻挡了氧空位在NbOx材料中的迁移。相比之下，基于Pt电极的NbOxMott忆阻器因Pt层存在大量晶界且对氧空位有较强的吸附作用，导致在电激活和阈值阻变过程中氧空位发生跳动，从而降低了器件的电学稳定性。该研究为提升NbOx Mott忆阻器的稳定性和一致性提供了新的途径，有望推动其在脉冲型神经形态计算系统中的产业化应用。
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