两种单层二维薄膜结构C2P4已被理论证明为稳定二维材料，均为间接带隙半导体材料。为了进一步拓展对这两种薄膜结构的研究，对平面内双轴应变作用下两种二维材料的能带进行了研究，并探讨了压强对这两种二维薄膜材料体积和能量的影响，两种结构属于正常的二维材料而非负泊松比材料，说明压强越大、体积越小、能量越高。相关研究对于进一步认识这两种二维材料，拓展其在光电子学器件、纳米电子学器件等方面的应用具有重要参考价值。
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