激子复合区随温度移动对OLED磁效应的影响

作者：王春梅; 雷衍连; 张巧明; 焦威; 游胤涛; 熊祖洪

来源：中国科学:物理学 力学 天文学 , 2013, (06): 732-738.

• DCM掺杂
• 双发光层器件
• 磁效应
• 激子复合区域
• TTA作用 DCM doped
• double emitting layers device
• energy traps
• magnetic field effect
• exaction recombination movement
• TTA interaction

制备了DCM掺杂层靠近阴极的双发光层有机发光器件ITO/CuPc/NPB/Alq3(发射绿光)/Alq3:DCM(发射红光)/LiF/Al,并在不同温度下测量了该器件和无DCM掺杂的单发光层参考器件的磁电致发光(Magneto-ElectroLuminescence,MEL)和磁电导(Magneto-Conductance,MC).在注入相同电流密度下,发现双发光层器件MEL的高场(B50mT)效应随温度降低呈现先减小后增大的非单调变化,这与单发光层参考器件的单调递增变化明显不同.同时测量了不同温度下的电致发光光谱,发现双发光层器件的533nm和600nm两个特征峰的强度随温度变化出现了此消彼...

• 单位
  应用表面物理国家重点实验室; 西南大学; 复旦大学