倾斜衬底沉积涂层导体MgO缓冲层

作者：韩超; 瞿天睿; 高波; 郭艳群^*; 蔡传兵

来源：低温与超导, 2023, 51(09): 14-20.

DOI：10.16711/j.1001-7100.2023.09.003

• 倾斜衬底沉积
• 氧化镁
• 双轴织构
• Epitaxy-MgO (EPI-MgO)

本文通过倾斜衬底沉积技术在Hastelloy基底上成功生长出具有双轴织构的MgO缓冲层。系统研究了衬底倾角分别为30°和55°,薄膜厚度对MgO双轴织构、织构角以及表面形貌的影响。ISD-MgO薄膜最小面内、外半高宽分别为11.0°和6.6°。另外，800℃下，在ISD-MgO上自外延300 nm厚的MgO薄膜可以优化其表面质量，为涂层导体的制备提供高质量缓冲层。

• 单位
  上海大学