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摘要
基于GaN HEMT提出了一种3.5 GHz频率的高效率混合EF类功率放大器。采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5 GHz频率下达到高效率。使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混合EF类功放基波、奇次谐波和偶次谐波的阻抗特征,同时完成与50Ω负载阻抗的匹配。测试结果显示,在3.3～3.8 GHz频段内,在1dB压缩点处输出功率达到40 dBm,漏极效率75%～79%,增益11.5～12.3 dB。
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基于GaN HEMT提出了一种3.5 GHz频率的高效率混合EF类功率放大器。采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5 GHz频率下达到高效率。使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混合EF类功放基波、奇次谐波和偶次谐波的阻抗特征,同时完成与50Ω负载阻抗的匹配。测试结果显示,在3.3～3.8 GHz频段内,在1dB压缩点处输出功率达到40 dBm,漏极效率75%～79%,增益11.5～12.3 dB。
