三阱CMOS工艺单粒子闩锁研究

作者：沈丹丹; 高国平

来源：中国集成电路, 2023, 32(05): 62-65.

• P-WELL
• Deep-NWELL
• 单粒子闩锁
• 可靠性

随着数模混合电路在无线应用领域的发展，三阱工艺噪声隔离优点引起设计师的广泛兴趣。RF技术必须把在P-衬底上的模拟、数字和RF电路进行隔离。本文主要讨论三阱（Triple-Well）工艺的电路单粒子闩锁问题。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所