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摘要
基于0.18μm的BCD工艺，依据CMOS带隙基准的原理，设计了一款高精度、高电源电压抑制比的带隙基准源和电压-电流转换电路。基准电压可通过fuse电阻修调，并通过正负温度系数的电阻串联，减小电阻温度系数对基准电流的影响，能够输出准确的基准电压和基准电流。其中，运算放大器采用共源共栅结构的电流镜，能够有效抑制电流镜失配和输出电压波动带来的干扰；利用三极管基极-发射极电压VBE的负温度特性，实现带有滞回区间的温度保护功能，防止热振荡的产生。仿真结果表明，输出基准电压为1.196 V、基准电流为5μA、频率为1 KHz时，电源电压抑制比为74.7 db、在-50℃～120℃温度范围内基准电压温度系数为5.5 PPM/℃,基准电流温度系数为32.4 PPM/℃;当温度超过120℃时，过温保护电路将关断芯片，温度低于100℃时，芯片重新正常工作。
- 单位
