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摘要
以Cu,In,Se为原料制备了高纯CuInSe2块体材料。分别采用熔盐净化-电解-区域熔炼工艺和真空蒸馏-区域熔炼联合工艺对原料In,Se进行提纯,可获得纯度99.9999%In和99.9995%Se。采用多室真空梯度合成工艺,制备出纯度大于99.999%的CuSe、In2Se3中间化合物。将其破碎混匀后压制烧结,合成出的块体材料成分均匀、纯度大于99.999%。XRD分析表明,块体相结构为CuInSe2相。
- 单位
以Cu,In,Se为原料制备了高纯CuInSe2块体材料。分别采用熔盐净化-电解-区域熔炼工艺和真空蒸馏-区域熔炼联合工艺对原料In,Se进行提纯,可获得纯度99.9999%In和99.9995%Se。采用多室真空梯度合成工艺,制备出纯度大于99.999%的CuSe、In2Se3中间化合物。将其破碎混匀后压制烧结,合成出的块体材料成分均匀、纯度大于99.999%。XRD分析表明,块体相结构为CuInSe2相。
