基于SiC MOSFET的多芯片并联功率模块不均流研究

作者：马建林; 王莉^*; 阮立刚

来源：电源学报, 2019, 17(04): 193-200.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2019.4.193

• 多芯片功率模块
• 并联不均流
• 功率模块布局
• 固态功率控制器

针对多芯片功率模块MCPMs(multi-chip power modules)从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC(silicon carbide) MOSFET的并联不均流进行了研究。理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布局对功率管并联不均流的影响。在此基础之上,以集成化大功率固态功率控制器SSPC(solid-state power controller)为背景,提出了3种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局,分别对3种布局的不均流电流进行了理论分析,并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真。仿真结果表明,通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiC MOSFET并联不均流造成的影响。

• 单位
  南京航空航天大学; 自动化学院