空间辐射环境中含有各种高能带电粒子，高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应（SEE），单粒子效应中单粒子烧毁（SEB）和单粒子栅穿（SEGR）是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究，分析了重离子环境下的失效机理，提出了重离子条件下的器件改善结构，同时完成了仿真和重离子实验验证，提升了MOSFET抗重离子能力。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
