应用于LTE的高效率高线性功率放大器

作者：李海鸥; 李杰; 尹怡辉; 赵灏; 谢志远; 张卫; 陈永和; 孙堂友; 刘兴鹏; 李琦

来源：微电子学, 2021, 51(6): 1-6.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210040

• 功率放大器
• InGaP/GaAs HBT
• 模拟预失真
• 相位补偿
• 功率附加效率

基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺，设计并实现一款应用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器芯片。该功率放大器采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真，实现电路的高线性；利用二次谐波终端电容改变电路工作模式，减少时域电压电流的重叠损耗功率，以此提高电路的功率附加效率。功率放大器在电源电压3.4 V、偏置电压2.8 V下测得，工作频带815～915 MHz内，增益大于29.5 dB，输入回波损耗小于-13.2 dB；输入10 MHz LTE调制信号测得，回退输出功率28 dBm时，功率附加效率为39%～41%，第一相邻信道泄漏比(UTRAACLR1)小于-38.1 dBc，第二相邻信道泄漏比(UTRAACLR2)小于-44.8 dBc。

• 单位
  桂林电子科技大学; 复旦大学; 专用集成电路与系统国家重点实验室; 中国电子科技集团公司第三十四研究所