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摘要
本发明提供的一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法,通过在GaN帽层上外延一层AlN帽层,由于AlN相较于AlGaN Al组分变大,自终止刻蚀过程中更有利于AlF-3的生成,能够有效提高自终止刻蚀的选择比,降低刻蚀对沟道中二维电子气的损伤,可以获得更大的输出电流。同时本发明将AlN作为刻蚀停止层,得到的刻蚀表面更加平坦,表面缺陷更少,进而减小器件的表面漏电。本发明相较于常规的无掩膜再生长,可以有效提高器件的可靠性,可以避免MOCVD高温外延过程掩膜的组分扩散和应力作用引起势垒层的退化；同时还保留了传统MBE再生长的优点,能够有效降低接触电阻,改善器件的直流特性。
- 单位
