摘要
制备SiO2-B2O3-Al2O3-AlF3-Li2O-Na2O-K2O-CaO系氟氧低温微晶玻璃/二氧化硅共烧陶瓷材料,用X射线衍射、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分析讨论氟氧微晶玻璃/氧化硅主晶相的形成、致密性及介电性能。结果表明:氟氧玻璃/氧化硅陶瓷材料体系样品的最佳煅烧温度范围为750~780℃,煅烧时部分玻璃相转变成方石英,有助于进一步降低相对介电常数(εr)和介电损耗(tanδ),在780℃煅烧时,样品的体积密度达到最大值(2.31g/cm-3),此时在1GHz频率测试,εr=4.42,tanδ=3×10-3,所制备的材料是一种在基板、无源集成和电子封装等方向都具有较大应用前景的低温共...
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