等离子体结合六甲基二硅胺烷处理提升增透膜抗真空污染性能研究

作者：董祥; 吕海兵; 严鸿维; 黎波; 向霞^*; 蒋晓东

来源：强激光与粒子束, 2021, 33(07): 48-53.

• SiO2增透膜
• 等离子体处理
• 六甲基二硅胺烷
• 抗真空有机污染

本文采用溶胶-凝胶法制备了SiO2增透膜,然后对其进行等离子体结合六甲基二硅胺烷(HMDS)表面改性处理。研究了后处理改性对增透膜表面形貌、微观结构、光学性能及激光损伤性能的影响规律,获得了抗真空有机污染的二氧化硅增透膜。结果表明,增透膜在采用等离子体结合HMDS表面改性处理后,膜层收缩、粗糙度下降、极性羟基等有机基团含量减少;两步后处理改善了增透膜膜层结构和光学性能,显著提高了膜层疏水能力和真空条件下的抗污染性能,并且对溶胶-凝胶二氧化硅增透膜的高损伤阈值属性不产生影响。

• 单位
  物理学院; 中国工程物理研究院激光聚变研究中心; 电子科技大学