一种含胺基N-氧化物苝二酰亚胺类小分子界面层及其制备方法

作者:周丹; 李玉冰; 徐镇田; 徐海涛; 吕瑞之; 童永芬; 胡斌; 谢宇; 李明俊
来源:2021-08-10, 中国, CN202110911468.6.

摘要

本发明公开了一种含胺基N-氧化物苝二酰亚胺类小分子界面层及其制备方法,合成工艺简单,仅有二步。本发明因其侧链仲胺上的孤对电子向苝二酰亚胺核发生分子内电荷转移具有很强的自掺杂效应,强的自掺杂效应有利于形成大的界面偶极子并提高电子迁移率;同时,末端的氮氧极性基团也可形成偶极子并赋予材料具有绿色溶剂加工。因此,PDINNO的偶极子可使在空气中具有高稳定性的Ag电极功函有效降低0.6eV。此外,侧链中的仲胺可与活性层中的F及H等形成氢键,提高界面相容性,改善界面接触。