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摘要
通过预氧化处理在Zn基底上制备了ZnO颗粒膜,并由N2H4.H2O-水热体系制备了Zn基柱状ZnO阵列。实验发现,在Zn单一晶体学取向表面上柱状ZnO高度有序排列,据此提出了Zn基柱状ZnO的自由生长取向机制。水热反应条件下,ZnO微晶通常具有沿c轴优先生长的结晶习性,柱状体高度有序排列取决于ZnO晶核的状态。单一晶体学取向表面上晶核的状态一致,决定了ZnO柱状体取向一致。Zn基柱状ZnO阵列光致发光谱分析表明,在30～60 K之间,近带边激子发射峰强度呈现反常温度依赖的"负热淬灭"现象,该过程包含了两个无辐射过程和一个负热淬灭过程。
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