非晶硅微测辐射热探测器的现状与发展

作者：龚宇光; 李伟; 蒋亚东; 陈超; 蔡海洪; 李志

来源：半导体光电, 2009, (02): 172-177.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2009.02.003

• 非晶硅
• 微测辐射热探测器
• 阵列结构
• 性能特点
• 发展趋势 amorphous silicon
• mircobolometer
• focal plane array
• characteristics
• development tendency

基于非晶硅薄膜材料的微测辐射热探测器凭借其成本低、结构简单、可大规模生产等优势,在过去十几年间发展迅速,其焦平面阵列由最初的160×120小规模发展到目前的1024×768大规模,像元间距也由50μm减少到17μm。简要介绍了作为微测辐射热探测器的热敏电阻材料的优缺点,重点评述了具有代表性的非晶硅微测辐射热探测器的研究现状及发展趋势。

• 单位
  光电信息学院; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室