0.5μmCMOS带隙基准电路设计

作者：张明英; 朱刘松; 邢立冬

来源：国外电子元器件, 2008, (12): 79-81.

• 模拟电路
• 电源
• 温度/带隙基准
• 抑制比
• CMOS工艺 analog circuit
• power supply
• temperature/bandgap reference
• rejection ratio
• CMOS process

依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明,在电源电压VDD=3.3 V,温度T=25℃时,输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～ 85℃时,输出电压的温度系数为20 pm/℃,电源电压的抑制比δ(PSRR)=-58.3 dB。

• 单位
  西安邮电大学; 解放军第323医院; 西安外事学院