阶梯状量子阱结构对蓝光GaN基LED性能的改善

作者：刘轩; 王美玉; 李毅; 朱友华

来源：半导体技术, 2019, (10): 767-772.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.10.004

• GaN
• 发光二极管(LED)
• 多量子阱(MQW)
• 光学特性
• Silvaco仿真 GaN
• light-emitting diode(LED)
• multiple quantum well(MQW)
• optical property
• Silvaco simulation

由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱结构存在极化效应导致能带倾斜,极大地影响了LED的辐射复合效率。采用阶梯状量子阱的结构来改善LED的发光特性,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统在4英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上外延生长了3种不同量子阱结构的样品,并对其进行材料结构与器件性能的表征。实验结果表明, In组分减小的阶梯状量子阱样品相对于传统量子阱结构,其在电致发光(EL)谱中蓝移现象几乎消失;同时在注入电流为140 mA时,其发光功率以及外量子效率分别提高3.8%和5.1%。此外,Silvaco Atlas软件的仿真结果显示了该样品的量子阱中具有更高...

• 单位
  南通大学