功率VDMOS就是垂直导电的双扩散结构器件,功率VDMOS克服了其他MOS的各种缺点,是在功率集成工艺基础上发展起来的新一代电子器件。IDSS是衡量VDMOS器件性能的一个重要参数,同时,影响VDMOS产品良率的各个参数,也是一个难以解决的问题。从VDMOS器件结构及工艺入手,对参数失效原因做了较全面的分析,总结了VDMOS器件参数失效的因素及对应的工艺控制难点。以供VDMOS工作者以及相关技术人员参考。
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