摘要
玉米是潜在的植物修复材料,研究镉(Cd)胁迫下玉米籽粒镉高/低积累自交系不同生育期的镉累积特性,为选育籽粒Cd低积累和高富集玉米品种提供参考。于安徽农业大学试验农场对籽粒镉高积累(‘Zhong69’)和低积累(‘K22’)的玉米自交系进行盆栽试验,测定苗期、拔节期、抽雄期、灌浆期、乳熟期、蜡熟期、完熟期7个生育期的根、茎、叶和籽粒4个部位的生物量、Cd质量分数等指标,并采用逐步回归法分析玉米不同生育期各部位Cd质量分数对总生物量的影响及其贡献程度。结果表明,Cd胁迫抑制‘Zhong69’生长,而对‘K22’生长影响较小。Cd胁迫下‘Zhong69’各生育期的根、茎、叶和籽粒Cd质量分数分别是‘K22’的1.07-2.02、3.48-14.0、7.87-23.8、65.4倍。两自交系镉积累特性分别为:‘Zhong69’为叶>茎>根>籽粒,叶片Cd积累量占整株总量比例在42.3%-92.0%之间,随生育期呈先降后升趋势;‘K22’为根>叶>茎>籽粒,根部Cd积累量占整株总量比例在37.8%-66.2%之间,无明显变化规律。Cd胁迫下,‘Zhong69’和‘K22’的Cd质量分数在苗期最高,分别为6.60 mg·kg-1和4.60 mg·kg-1;Cd积累量在苗期最低,分别为3.63μg和0.96μg,在灌浆期达到最高,分别为222μg和77.5μg。逐步回归分析表明,Cd胁迫下,‘Zhong69’总生物量主要受茎部和叶片Cd质量分数共同影响,呈显著负相关(P=0.028),而‘K22’总生物量仅受茎部Cd质量分数影响,呈显著正相关(P=0.008)。该研究表明,‘Zhong69’和‘K22’的主要Cd积累部位分别为叶片和根部;茎部和叶片Cd质量分数是影响玉米植株总生物量的潜在影响因素,苗期至灌浆期是玉米吸收Cd的重要时期,灌浆期是修复Cd污染土壤的关键时期。
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