ZnO/C8-BTBT异质结的载流子注入特性研究

作者：王向华^*; 李博; 胡鹏; 黄玲玲; 陈幸福

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(06): 400-405.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.06.002

• 氧化锌
• 2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩
• 异质结
• 有机薄膜晶体管

量子点电致发光器件(QLED)中的发光层由钙钛矿量子点构成。由于量子点较深的价带能级,空穴载流子注入效率相对较低,往往成为制约器件性能的重要因素。采用p-型有机半导体,2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为发光层主体材料,与量子点构成的主客体复合薄膜,被证明是一种有效的解决方法,而研究和调控载流子向这类有机主体材料的注入特性是提高这类QLED器件性能的关键。采用场效应薄膜晶体管和单载流子叠层器件结构表征了ZnO/C8-BTBT异质结的载流子传输特性。实验发现通过引入ZnO/C8-BTBT异质结,一方面可提高器件的空穴注入效率,另一方面有利于实现更平衡的载流子注入特性。

• 单位
  合肥工业大学