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摘要
本发明公开了一种非对称边墙、垂直堆叠沟道结构的可重构场效应晶体管,该晶体管包括：数条垂直堆叠的沟道,分别包裹在沟道外侧的栅极氧化物,设于沟道两端的源极和漏极,设置在源极右侧的源极一侧边墙,设置在漏极左侧的源极一侧边墙,设置在源极一侧边墙右侧的控制栅极,设置在漏极一侧边墙左侧的极性栅极,设置在控制栅极和极性栅极之间的栅极隔离,设置在底部的衬底。本发明其特征在于源极一侧边墙与漏极一侧边墙所采用的材料不同,源极一侧边墙的长度小于或等于漏极一侧边墙的长度；沟道沿垂直衬底的方向堆叠,堆叠的次数至少两次。本发明可在同等面积上获得更大的电流密度,从而达到降低组合逻辑延迟、提高电流驱动能力的效果。
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