深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟

作者：薛海卫; 张猛华; 杨光安

来源：电子技术应用, 2019, 45(12): 59-66.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.190802

• 瞬时剂量率效应
• 三维数值模拟
• 深亚微米SOI
• H型NMOS

为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108～1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所; 东南大学