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摘要
本发明属于多功能光电二极管技术领域,公开了一种基于硫化亚锡/硒化铟异质结的光电二极管及其制备方法和应用。所述光电二极管是将InSe纳米片转移至SnS纳米片上,SnS纳米片与InSe纳米片重叠部分形成SnS/InSe异质结,并在惰性气体条件下100～150℃退火0.3～2h,分别在不重叠的InSe纳米片和SnS纳米片上蒸镀Au电极,在保护气体中150～250℃进行退火处理制得。本发明基于SnS/InSe异质结的光电二极管具有明显的整流行为,并在400～1064nm宽谱波段具有优异的自驱动光响应性能和波长选择偏振探测特性,可用于光伏器件或偏振红外成像设备领域中。
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