基于化学掺杂的碳纳米管二极管

作者：宋传娟; 杨俊茹^*; 廖成浩; 刘晓东; 王英; 贺蓉; 董续盛; 钟汉清; 刘一剑; 张丽英; 陈长鑫^*

来源：新型炭材料, 2018, 33(05): 476-480.

DOI：10.19869/j.ncm.1007-8827.2018.05.007

• 单壁碳纳米管
• p-i-n结二极管
• 局部化学掺杂
• 整流特性

本文制备了一种基于局部化学掺杂的单壁碳纳米管(SWCNT) p-i-n结二极管。在此器件中,单根SWCNT沟道的两端分别被掺杂成p型和n型,沟道中段保留为本征状态,从而在SWCNT中形成具有较强内建电场的p-i-n结,表现出二极管特性。所制二极管器件具有高的器件性能,其整流比可达103数量级、反向饱和电流仅为23 p A。此外,简要探讨了该结构二极管的工作原理。

• 单位
  电子工程学院; 薄膜与微细技术教育部重点实验室; 微米/纳米加工技术国家级重点实验室; 山东科技大学; 上海交通大学