H_2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si_(1-x)Ge_x的影响

作者：赵星; 叶志镇; 吴贵斌; 刘**; 赵炳辉; 唐九耀

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(01): 78-81.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.01.016

• 选择性外延生长
• UHV/CVD
• Si_(1-x)Ge_x selective epitaxial growth
• Si_(1-x)Ge_x

利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以Si H4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得Si H4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观...

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室