Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列

作者：赵文伯; 赵红; 叶嗣荣; 黄烈云; 唐遵烈; 罗木昌; 杨晓波; 廖秀英; 向勇军; 邹泽亚

来源：半导体光电, 2009, (01): 21-24.

• AlxGa1-xN
• 日盲探测器
• 紫外焦平面阵列
• pin光电二极管

报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3.5 V,-0.5 V偏压时暗电流小于1.2×10-12A(φ=300μm台面),光谱响应范围260~280 nm,268 nm峰值波长的响应度大于0.095 A/W。器件实现了日盲紫外成像演示。