蓝光GaN基Micro-LED芯片制备及激光剥离工艺研究

作者：王仙翅; 潘章旭; 刘久澄; 郭婵; 李志成; 龚岩芬; 龚政

来源：半导体光电, 2020, 41(02): 211-216.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2020.02.013

• Micro-LED芯片
• 激光剥离
• 芯片转移
• 光电性能

基于半导体制造工艺,制备了尺寸为50μm×80μm的蓝光氮化镓(GaN)基MicroLED芯片。芯片的正向导通电压在2.55V左右;测试了10颗LED芯片在1mA注入电流下的电压值,得到的最大值和最小值分别为3.24和3.12V,波动幅度在4%以内。在1mA的测试电流下,测试芯片的EL光谱峰值波长和半高宽分别为453和14.4nm,芯片的外量子效率可达12.38%,芯片发光均匀且亮度很大。测试结果表明,所制备的Micro-LED芯片具有优异的光电性能。此外,通过激光剥离技术,实现了Micro-LED芯片的转移。研究了激光剥离工艺对MicroLED芯片光电性能的影响,发现在优化的工艺条件下,激光剥离对芯片的光电性能几乎无影响。这些结果有助于小间距微尺寸LED芯片阵列及显示技术的研究。

• 单位
  广东省半导体产业技术研究院; 中南大学