一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源

作者：冯春燕; 翟江辉; 李海鸥; 郭建; 杨年炯; 李琦

来源：微电子学, 2016, 46(06): 736-745.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.06.004

• 带隙基准源
• 宽温度范围
• 高温度稳定性
• 负反馈
• 胎压监测

在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不受电源电压影响的基准电压。基于0.5μm CMOS标准工艺实现,采用Spectre进行仿真,结果表明:该带隙基准源在室温下产生的基准电压为(1.256 9±0.000 32)V,在-35℃125℃温度范围内的温漂系数为1.39×10-6/℃;当工作电压为1.84.6V时,输出电压仅变化0.31mV/V;3V供电下的功耗为14.69μW;满足胎压监测芯片的设计要求。

• 单位
  广西科技大学; 桂林电子科技大学