400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)

作者：王东盛; 郭文平; 张克雄; 梁红伟; 宋世巍; 杨德超; 申人升; 柳阳; 夏晓川; 骆英民; 杜国同

来源：发光学报, 2013, (02): 225-229.

• 金属有机物化学气相沉积
• 紫光发光二极管
• GaN发光二极管
• 电子阻挡层
• 超晶格 metal organic chemical vapor deposition
• violet light emitting diodes
• GaN light emitting diodes
• electron blocking layer
• super lattice

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该...

• 单位
  吉林大学; 集成光电子学国家重点实验室; 中国科学院; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 江苏新广联科技股份有限公司; 大连理工大学; 信息功能材料国家重点实验室