基于标准CMOS工艺的有源像素单元结构的研究

作者：周鑫; 朱大中; 郭维

来源：压电与声光, 2005, (04): 434-437.

DOI：10.3969/j.issn.1004-2474.2005.04.030

• 互补金属氧化物半导体集成电路(CMOS)
• 有源像素传感器
• 光电传感器

基于标准N阱互补金属氧化物半导体集成电路(CM O S)工艺,设计了P+/N-w e ll/P-sub光电管结构和传统的N+/P-sub光电管结构的有源像素单元。像素单元面积为100μm×100μm,感光面积百分比分别为77.6%和89%,采用了上华0.6μm两层金属两层多晶硅CM O S工艺研制。测试分析结果表明P+/N-w e ll/P-sub结构在暗电流大小,光照响应信号大小,感光灵敏度和感光动态范围上均优于传统的N+/P-sub结构。通过改变复位信号频率,将P+/N-w e ll/P-sub结构像素的感光动态范围提高到139.8 dB,改善了有源像素的感光性能。

• 单位
  浙江大学