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摘要
本发明属于多孔太阳电池领域,公开了一种InP-石墨烯太阳电池及其制备方法。所述InP-石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO-2空穴阻挡层、石墨烯层和Al-2O-3减反射层；围绕Al-2O-3减反射层设置一圈Ag接触电极,Ag接触电极与石墨烯层接触。本发明在磷化铟上设置二氧化钛空穴阻挡层,利用二氧化钛能带结构以增大光伏元件的载流子迁移率,从而增大少数载流子的寿命,并在二氧化钛上方附加高透光率、载流子传输速率快、功函数较高的石墨烯,利用能级梯度差进一步增大载流子的势能,从而提高磷化铟电池的转化效率。
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