磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响

作者：徐玮; 于军; 王晓晶; 袁俊明; 雷青松

来源：材料导报, 2009, 23(S1): 387-390.

DOI：10.3321/j.issn:1005-023X.2009.z2.115

• 磁控溅射
• 陶瓷靶材
• 电阻率
• 透过率
• ZnO:Al薄膜

利用射频磁控溅射法,采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al_2O_3)为靶材,在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响。采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行了测试。结果表明,当溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能,可见光平均透过率为88.21%,电阻率为8.28×10~(-4)Ω·cm。

• 单位
  华中科技大学