含N’N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理

作者：张涛; 吴一辉; 杨建成; 张平; 刘永顺

来源：光学精密工程, 2008, (09): 1701-1705.

• 微电铸工艺
• N’N-二乙基硫脲
• 活性极化
• 电化学行为
• 填洞能力 micro-electroplating process
• N'N-diethylthiourea
• activation polarization
• electrochemical behavior
• gap-filling

为了研究含N’N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理,采用线性伏安法、循环电压电流溶出法(CVS)、扫描电镜(SEM)以及XRD测量法研究了N’N-二乙基硫脲对微电铸工艺电化学行为的影响,并借助塔菲尔方程,研究了微电铸铜反应过程中的电极动力学参数。结果表明,当微电铸铜工艺中加入N’N-二乙基硫脲添加剂时,产生活性极化,提高了铜离子还原时所需的活化能,金属离子的放电速度从2.221 4 mA/cm2降低到约0.076 mA/cm2,从而增加了反应时的过电位,促使电极表面晶核成型速度增加,晶体成长速度由2.57μm/min降低到约0.17μm/min,铜离子的平滑能力提高约50%,有效地减...

• 单位
  天津工业大学; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 应用光学国家重点实验室