纳米LaF_3块体材料常温离子电导率的研究

作者：吴大雄; 吴希俊; 吕燕飞; 王晖

来源：中国稀土学报, 2006, 24(02): 179-183.

DOI：10.3321/j.issn:1000-4343.2006.02.010

• 纳米晶
• 纳米LaF3块体材料
• 离子电导率
• 复阻抗谱
• 稀土

采用水溶液直接沉淀法成功制备了LaF3纳米粉体。用透射电子显微镜(TEM)观察了粒子形貌及粒度,粒子呈球形,粒径范围在10~20nm之间,粉体单分散性良好。用X射线衍射(XRD)分析得到的平均粒径16.7nm。采用真空高压固结法在真空度10-4Pa条件下常温加压至1GPa制备了纳米LaF3块体材料。采用交流阻抗谱研究了纳米LaF3的室温离子电导率,发现纳米LaF3的室温离子电导率(10-5S·cm-1)和单晶LaF3的室温离子电导率(10-6S·cm-1)相比有明显提高。观察到由于纳米材料的弛豫引起电导率随测试次数增大的现象。

• 单位
  浙江大学