AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用

作者：刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢

来源：半导体光电, 2009, (05): 691-695+699.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2009.05.014

• 异质隧道结
• 垂直腔面发射激光器
• 光电特性 tunnel junction
• VCSEL
• optoelectronic properties

应用高掺杂pn结和异质结能带理论,计算了AlInAs/InP异质隧道结的电学特性,发现其性能优于AlInAs和InP同质隧道结,并得出了掺杂浓度与隧道电流的关系曲线。采用气态源分子束外延(GSMBE)设备生长了面电阻率约为10-4Ω.cm2的AlInAs/InP异质隧道结结构,并应用于制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),器件在室温下脉冲激射。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 上海空间电源研究所