A-D-A型胺基萘酰亚胺类小分子阴极界面层及其制备方法

作者：李玉冰; 初泓霖; 周丹; 朱佳; 周园园; 彭彬

来源：2022-10-12, 中国, CN202211245398.6.

本发明公开了A-D-A型胺基萘酰亚胺类小分子界面层及其制备方法；本发明提供的胺基修饰的萘酰亚胺衍生物阴极界面层具有合成路线简单、产率高、可实现环境友好绿色溶剂加工、合成成本低、具有很好的普适性和重复性等优点。本发明因缺电子萘酰亚胺基团被胺基基团和富电子三苯胺基团双掺杂,从而表现出显著的分子内电荷转移和独特的n型自掺杂特性。这些特性可以增加电子迁移率并降低高稳定性阴极电极金属Ag的功函数,以形成欧姆接触,从而显著提高器件的电子迁移率和器件效率。同时,末端的极性基团也可形成偶极子并赋予材料具有绿色溶剂加工。此外,侧链中的仲胺可与活性层中的F及H等形成氢键,提高界面相容性,改善界面接触。