科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
针对深亚微米工艺下瞬态故障引发的软错误可能成为芯片失效的重要原因,提出了一种交替互补的双状态机自恢复结构,该结构将原始状态机拆分为两个子状态机,两个子状态机交替工作,互为补充.在其中一个子状态机发生错误时,回卷到另一个子状态机中的正确状态重新执行,从而有效地针对软错误引起的状态翻转进行防护.为验证本方案,对MCNC91标准电路进行了实验.实验结果显示,在面积开销略为增加的情况下,该方案防护了电路中99.64%的软错误,而电路的延迟比其他同类自恢复方案大幅度降低,在性能改进方面有一定优势.
- 单位
