基于GaAs表面等离子体栅阵结构的太赫兹调制器

作者：汪辰宇; 廖宇; 梅志杰; 刘旭东; 孙怡雯^*

来源：量子电子学报, 2023, 40(02): 275-281.

DOI：10.3969/j.issn.1007-5461.2023.02.009

• 光电子学
• 太赫兹调制器
• 金属栅阵结构
• 肖特基二极管

太赫兹波具有载频高、带宽大、频谱信息丰富等特点,其在高速通信、分子检测和生物医学成像等领域的潜力已得到广泛关注。太赫兹调制器是太赫兹检测系统中的关键器件,但是当前已报道的调制器都不能同时具备高效、高速、低插入损耗等特点。因此,提出并设计了一种基于GaAs肖特基二极管结合表面等离子体栅阵结构的电控太赫兹调制器。该器件将谐振腔和金属栅阵的电场增强效应相互叠加,大幅提升了器件的调制性能,实现了0.4～1.4 THz范围内多频点调制,最高调制深度约为80%,插入损耗低于10 d B，调制速度大于100kHz。

• 单位
  深圳大学; 生物医学工程学院