用于低功率神经形态晶体管的金属氧化物半导体纳米纤维中阳离子比例的合理调整（英文）

作者：丛浩菲; 常宇; 周睿夫; 张文鑫; 孙广欣; 徐沛龙; 秦元斌; Seeram Ramakrishna; 刘旭海^*; 王凤云^*

来源：Science China-Materials, 2023, 66(08): 3251-3260.

宽带隙金属氧化物半导体(MOS)纳米纤维神经形态晶体管(NFNTs)可以潜在地用于构建低功耗的仿生人工电路.但文献中对于NFNTs所采用MOS的阳离子配比并没有给出详细的原因.在本研究中,我们首次系统地研究了用低成本静电纺丝技术结合纳米纤维转移工艺制备的氧化铟锌(InZnO)基NFNTs的阳离子比例.基于双阳离子InZnO纳米纤维的电驱动NFNTs可以大大简化实验过程.在InxZn1-xO的阳离子比(x=0.6,0.7,0.8,0.9)中,我们发现基于In0.7Zn0.3O的NFNTs表现出最低的兴奋性突触后电流,可以为低功耗操作和突触功能模拟提供电效益.MOS纳米纤维成分的合理调整可以为高性能低功耗NFNTs提供新的思路.