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摘要
在硅平面上设计了一种基于二氧化钒(VO2)超材料的可调谐太赫兹(THz)宽带吸收器,该吸收器由VO2谐振层和被SiO2介质隔开的金属反射层组成。数值仿真结果表明,具有高电导率(30000 S/m)的VO2表现为金属相,其吸收率大于90%时吸收带宽达到了2 THz,并且分别在4.5 THz和5.8 THz处实现了吸收率为99.3%和99.6%的完美吸收。具有低电导率(100 S/m)的VO2则表现为绝缘相,其在相应的宽频吸收带内的峰值吸收率仅为8%。因此,通过改变吸收器结构中VO2材料的电导率,可以实现宽频带内吸收率的动态调谐以及吸收和反射功能的切换。此外,由于结构的对称性,所提出的吸收器在垂直入射条件下具有偏振不敏感特性,并且在大入射角度范围内保持着良好的吸收性能。
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