分子动力学模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程的影响

作者：涂睿; 李盈盈^*; 孔淑妍; 鲁仰辉; 白亚奎; 孙晨; 曹鑫源

来源：材料科学与工程学报, 2023, 41(05): 710-717.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2023.05.003

• 辐照模拟
• 分子动力学方法
• 裂纹扩展
• 碳化硅

采用基于分子动力学方法的LAMMPS(large-scale atomic/molecular massively parallel simulator)软件模拟了辐照对3C-SiC裂纹扩展过程的影响。研究结果表明，3C结构的碳化硅受到辐照后断裂形式仍为脆性断裂。随着级联叠加次数的增加，含[001](010)裂纹的碳化硅的拉伸强度出现较大幅度涨落，而延伸量在涨落过程中呈逐渐增加趋势；含有[11-2](111)裂纹的碳化硅的拉伸强度在涨落中逐渐下降，而延伸率却逐渐增加。

• 单位
  国家电投集团科学技术研究院有限公司