3300V SiC MOSFET栅氧可靠性研究

作者：陈宏; 白云^*; 陈喜明; 李诚瞻

来源：电源学报, 2020, 18(04): 10-14.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.10

• 3300V SiC MOSFET
• 高温栅偏
• 栅氧
• 可靠性

碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能,表现出巨大的应用前景,其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)是最重要的器件。3 300 V SiC MOSFET可应用于轨道交通和智能电网等大功率领域,能显著提高效率,降低装置体积。在这些应用领域中,对功率器件的可靠性要求很高,为此,针对自主研制的3 300 V SiC MOSFET开展栅氧可靠性研究。首先,按照常规的评估技术对其进行了高温栅偏HTGB(high temperature gate bias)试验;其次,针对高压SiC MOSFET的特点进行了漏源反偏时栅氧电热应力的研究。试验结果表明,在高压SiC MOSFET中,漏源反偏时栅氧的电热应力较大,在设计及使用时应尤为注意。

• 单位
  中国科学院微电子研究所