摘要

针对模拟集成电路在温度循环应力下的封装退化过程进行了研究。设计了对应的加速退化试验,并根据其加速应力模型拟合分析了试验数据,得到了加速退化方程,推算出了日常应用条件下器件的贮存寿命。

  • 单位
    中国电子科技集团公司第二十四研究所