<正>深紫外LED(DUV-LED)具有环保无汞、寿命长、功耗低等优势,在杀菌消毒、生化检测、医疗健康等领域具有重要的应用价值。然而,由于光提取效率(LEE)的限制,DUV-LED出光效率较低(外量子效率不足10%),严重影响了DUV-LED的应用效能。此外,Al GaN基DUV-LED出光沿着垂直芯片表面的方向传播,导致大量光子需要从芯片侧壁提取,易被封装基板腔体(围坝)吸收,严重降低了DUV-LED封装的光提取效率。因此,增强DUV-LED侧壁光提取仍是一个挑战。