掺杂改性增强钛酸锶钡薄膜介电性能的研究进展

作者：汤健; 刘军^*; 傅志鹏

来源：化工新型材料, 2023, 51(S2): 71-79.

DOI：10.19817/j.cnki.issn1006-3536.2023.S2.015

• 钛酸锶钡
• 掺杂
• 介电性能

钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜具备高介电常数、低介电损耗，以及高介电可调谐性等优点，是微波可调谐应用的潜在候选材料。综述了掺杂改性BST薄膜的研究进展，分别对A位掺杂、B位掺杂和双位共掺杂改性进行了总结和分析，对不同位置掺杂改性的BST薄膜的介电性能进行了对比分析；众多研究显示，单独的A位或B位掺杂修饰并不能获得介电性能均衡增强的BST薄膜，而双位共掺杂则可以使BST薄膜的介电性能得到均衡增强。

• 单位
  江苏大学