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摘要
本发明公开了一种高热导率SiC衬底上环栅增强型高Al组分氮化镓基器件,主要解决现有同类器件导通电流小、开关速度慢、散热差的问题。其自下而上包括：包括：SiC衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、AlGaN沟道层(4)、势垒层(6)、环形介质层(7)及栅电极,其源、漏电极(9,10)分布在势垒层的两端,该沟道层与势垒层之间设有插入层(5),三者共组成纳米沟道；该环形介质层包括两个P-GaN帽层(71,72),且第一帽层设置在纳米沟道的底部,第二层覆盖于纳米沟道两个侧面及顶部形成包覆结构,该结构外部分布栅电极(8)。本发明栅控能力强、导通电流大、开关速度快、散热性能好,可应用于大功率高速开关器件。
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